在高温、高电压、强腐蚀等极点工况下，传统在答应电压下不导电的资料（如有机聚合物、氧化铝陶瓷）常因热分化、导电性剧增或机械失效而难以满意需求。氮化硅陶瓷轴套凭仗其高温绝缘性、耐热性与机械强度的三重优势，正成为电力、冶金、半导体等范畴的核心部件。本文将从资料特性、工艺优化、使用场景及技能比照等维度，深度解析其高温绝缘功能的物理实质与工程价值。
氮化硅在熔融金属（如铝、铜）中表现出非潮湿性，标明发生的SiO₂钝化膜可阻挠离子浸透，防止高温电解导致的绝缘失效。
选用Y₂O₃-MgO烧结助剂体系，在1700℃、30 MPa压力下制备的氮化硅陶瓷，致密度＞99%，晶界玻璃相含量＜2%。该工艺使晶界电阻率进步至10¹⁴ Ω·cm，击穿场强达25 kV/mm（室温）。
CVD堆积氮化硼（BN）涂层：在轴套标明发生0.1~0.3 μm绝缘层，使耐电弧功能进步3倍，适用于10 kV以上高压环境。
激光微织构：经过飞秒激光加工外表微沟槽（宽度50 μm，深20 μm），可将沿面闪络电压进步40%，有用按捺高温爬电现象。
经过 气氛压力烧结（GPS） 削减孔隙率（＜0.1%），并引进Al₂O₃-SiO₂晶界相，使资料在1000℃下的漏电流密度＜10⁻⁹ A/cm²，满意半导体设备对绝缘可靠性的苛刻要求。
在特高压断路器触头体系中，氮化硅陶瓷轴套可代替环氧树脂绝缘件，耐受温度从150℃进步至800℃，寿数延伸10倍以上。其抗电蚀功能（质量损失率＜0.01 mg/kA·s）明显优于氧化铝陶瓷的0.1 mg/kA·s。
作为晶圆传输机械臂的绝缘轴套，氮化硅资料在线℃）下无放气污染，一起坚持介电常数（ε=7.5）安稳，防止射频信号搅扰。
在铝液脱气转子轴中，氮化硅轴套的非潮湿特性可削减金属粘附，合作高导热率（90 W/m·K）完成快速散热，使设备接连运转周期从72小时延伸至200小时。
